Hanming,RS,BCH ―― NAND Flash中常用的纠错方法

明天会更好1

对于BCH算法
校验数据长度就是13×t，或者14×tbit
所以平均1024＋32Byte的MLC 大多提议使用8bit/512Byte ECC
目前通常以512Byte或者1024Byte为单位处理，因为BCH按位处置数据，所以是4096bit或者8192bit,这里的4096/8192bit是原始数据，BCH需要生成必定的校验数据。下面扼要先容下原理
因为闪存中会有犯错的可能，如果没有使用ECC模块，读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能，兴许一个文件中只有一两个bit不匹配，这也是不能容忍的。绝对来说SLC中出错概率比拟低，所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了，在MLC中Hanming码就显得力不从心了，需要纠错能力更强的RS或者BCH纠错方式了。
Hanming码原理算法都不算庞杂，网上应当都能找到hdl代码。
RS（Reed-Solomon）利用也十分普遍，按多位的组合编码，而BCH按位编码，比方在NAND Flash中某个字节应该是0x00,然而从NAND Flash读出却是0xf0; RS只以为涌现了一个毛病，而BCH却认为呈现了4个错误。RS方式有着不错的突发随机错误跟随机错误的才能，算是两者的折中。BCH擅优点理随机过错，因为NAND Flash本身的特色，出现随机错误的概率更大一些，所以在MLC中目前运用最多的仍是BCH方法。
如果选用4096bit的原始数据长度，则模式为BCH（8191，8191－13×t，t,13)
大家晓得即便是校验错误如奇偶校验或者CRC校验都需要在原始信息数据的基本上增添一些额外的数据。可能改正错误的ECC需要额外的数据空间保留纠错码天生的校验数据。所以在NAND Flash中Page的1K数据并不是1024Byte，大多数是1024＋32Byte, 有的是更多的额外空间；额外空间越多象征着能够使用纠错能力越强的ECC，由于对统一ECC算法纠错能力越强需要的额定空间越大。
设最大纠错能力为t
假如选用8192bit的原始数据长度，则模式为BCH（16383，16383－14×t，t，14）
以8bit/512Byte BCH方式的ECC为例，把持器写数据到NAND Flash时，每512Byte数据经过BCH模块就会生成13Byte的校验数据（当然剩下的16－13＝3Byte也可以作为某种用处的数据,可以任意使用0－3Byte而不会转变ECC的使用），这些数据一起写入到NAND Flash中。节制器从NAND Flash中读取数据的时候需要将原始数据和校验数据一起读出经由BCH模块，BCH模块盘算随同矩阵首先可以断定出是否出现了错误，如果出现了错误需要计算错误位置多项式，而后解多项式，得到错误地位（目前重要使用Chien-search方式），因为是位错误，找到错误的位置以后取反当前就是准确的数据。只有是错误个数小于即是8，BCH都可以找到错误的位置，但是如果错误个数超过了8，对于BCH来说已经不措施纠正错误了，只能讲演出现了不可以纠正的情形。
均匀1024＋45Byte的MLC大多倡议应用24Bit/1024Byte ECC, 此时须要14×24bit＝42Byte的测验数据空间